為了備考2014年環(huán)境影響評價工程師考試，中大網校編輯特別整理了環(huán)境影響評價工程師考試科目《環(huán)境影響評價案例分析》歷年考試的重點，以備迎接2014年環(huán)境影響評價工程師考試。

案例分析

一、建設項目與相關產業(yè)政策的相符性分析

"線寬1.2gm以下大規(guī)模集成電路設計制造"列入《產業(yè)結構調整指導目錄(2005年本)》中鼓勵類，是當前國家重點鼓勵發(fā)展的產業(yè)。2001年11月，國家發(fā)展計劃委員會和科學技術部頒發(fā)的《當前優(yōu)先發(fā)展的高技術產業(yè)化重點領域指南》第17條規(guī)定，近期產業(yè)化的重點是：以加強集成電路設計為重點，積極支持集成電路設計和整機開發(fā)相結合，設計開發(fā)市場需求較大的整機產品所需的各種專用集成電路和系統(tǒng)級芯片，線寬0.18gm以下的深亞微米集成電路及配套的IP庫。擴大集成電路生產加工和封裝能力，提高工藝技術水平，擴大產品品種和生產規(guī)模;積極鼓勵國內外有經濟實力和技術實力的企業(yè)以及投資機構在國內建立國際先進水平的集成電路芯片生產線，提高我國集成電路生產技術水平。

原國家經濟貿易委員會、財政部、科學技術部、國家稅務總局《關于印發(fā)<國家產業(yè)技術政策)的通知》(國經貿技術[2002]444號)的"四、重點產業(yè)技術發(fā)展方向，(一)高新技術及產業(yè)化"中明確：要優(yōu)先發(fā)展深亞微米集成電路。

本項目產品方案為8英寸0.35-0.18gm芯片和12英寸0.13-0.09gm芯片，屬深亞微米集成電路，符合國家產業(yè)政策要求。

二、項目分析

1.工程分析的基本要求和要點

芯片生產的工藝復雜，約有數百道工序，使用50多種化學原料，其中包括20多種化學危險品。此類工程應給出全廠生產總流程和標示排污節(jié)點的工藝流程圖，并應有原、輔料消耗表。案例中將生產工藝概況為硅片清洗、氧化、光刻、蝕刻、擴散、離子植入、化學氣相沉積、金屬化、后加工等九部分是適宜的。鑒于此類項目須用多種有毒有害化學品，工程分析應作總物料衡算和主要污染因子，如氟、氯平衡。需要注意的是一些生產工藝會被重復多次，污染流程分析中應按照具體工序分別統(tǒng)計污染源和"三廢"排放量。

2.污染源和污染物

(1)廢氣

芯片生產各工序涉及的有毒有害氣態(tài)污染化學物質包括：

外延工序--SiH3、SiHCl3、SiH2Cl：、SiCl4、AsH，、B2H6、PH3、HCl、H：

清洗工序--112SO'、H202、HN03、HCI、HF、H3P04、NH4F、NHaOH

光刻工序--異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、C12、BCl，、C：F6、C3F8、CF4、SF6、I-IF、HCl、NO、C3H8、HBr、H，S

化學機械拋光--NH40H、NH4C1、KOH、有機酸鹽

化學氣相沉積--SiH4、SiU：Cl：、SiHCl3、SiCl：、SiF4、CF4、B2H6、PH3、NH3、HCl、I-IF、NH9

擴散、離子注入--書F3、AsH，、PH3、H：、Sill4、SiH2C12、BBr3、BCl3、B：1l

金屬化工序：--SiH4、BCl，、AICl，、TiCld、WE6、TiF4、siF4、A1F3、BF3、sF6

對于酸堿廢氣(HF、HCl、H2SO：、HN03、H3P04、C12、NH3)采用濕式洗滌塔處理，凈化效率為95%。

對于特殊氣體(SiH4、PH，、AsH3)采用炭纖維加濕式洗滌塔處理，凈化效率為85%-90%.

對于有機廢氣(VOC)采用沸石濃縮轉輪燃燒法處理，凈化效率為95%。

(2)水污染物

芯片生產排放的廢水及處理方法為：

含氟廢水--來源顯影，刻蝕、CMP工序，處理方法為CaCl沉淀法

酸堿廢水--來源清洗工序，處理方法為中和法

純水制備再生廢水--來源活性炭或樹脂及沖洗水，處理方法為中和法

洗滌塔廢水--來源酸、堿噴淋，處理方法為中和法

研磨廢水--來源研磨工序，采用沉淀法處理

生活污水--生化法處理

(3)固體廢物

危險廢物--硫酸廢渣。磷酸廢渣、顯影廢液、異丙醇廢液、硫酸銨廢液、廢有機溶劑、廢光刻膠、污水處理站污泥

一般固體廢物--廢金屬、廢玻璃、廢塑料(有機溶劑容器除外)、廢芯片、可回收包裝材料

生活垃圾

3.清潔生產

目前，國家公布的清潔生產名錄中，尚無集成電路的相關內容。環(huán)評中應在國內外類比調查基礎上從生產工藝、原材料、能源消耗等方面論證，用單位產品的物耗、能耗、水耗，污染物產生量和排放量指標量化分析。在原料清潔性評價中以下化學品應不使用或盡量少使用：①含氯的有機溶劑②氟氯烴③高毒化學品。

以下幾個指標應在環(huán)評中關注：

單位產品的原輔材料使用量--磷酸、硝酸、硫酸、鹽酸、氫氟酸、氫氧化銨、光刻膠、顯影劑、丙酮、異丙醇。

單位產品的物耗、能耗指標--新鮮水、高純水、電、大宗工藝氣體、壓縮空氣、蒸汽、冷量

單位產品污染物產生量和排放量--氯化物、HCl、硫酸霧、Cl：、硝酸霧、Sill4、磷酸霧、PH3\AsHl\VOCs、COD、NH、--N、SS、F、AOX、砷、硼、鎢

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（責任編輯：何以笙簫默）

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