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2014環(huán)境影響評價環(huán)境影響評價案例分析知識點57

發(fā)表時間:2014/3/26 13:20:03 來源:互聯(lián)網(wǎng) 點擊關注微信:關注中大網(wǎng)校微信
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為了備考2014年環(huán)境影響評價工程師考試,中大網(wǎng)校編輯特別整理了環(huán)境影響評價工程師考試科目《環(huán)境影響評價案例分析》歷年考試的重點,以備迎接2014年環(huán)境影響評價工程師考試。

三、工程分析

(一)工藝流程

1.工藝技術方案的確定

本項目的技術發(fā)展和集成電路制造的重點將以互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝為主。芯片生產(chǎn)工序主要有外購硅片清洗、氧化(Si+O:一SiO:)、光刻、蝕刻、擴散、離子植入、化學氣相沉積、金屬化、后加工等九部分。

全廠生產(chǎn)總流程圖見圖3,圖中展示了所有生產(chǎn)廠房的功能(工藝生產(chǎn)區(qū)域、支持區(qū)域)和相互之間的原則關系。在生產(chǎn)廠房中的工藝生產(chǎn)區(qū)域中,產(chǎn)品在通過產(chǎn)品質量檢測流至支持區(qū)域后道工序前,某些工藝步驟將被重復多次。

2、生產(chǎn)流程及排污節(jié)點分析

生產(chǎn)工藝流程和"三廢"排放節(jié)點示意圖,見圖4。

(二)工程污染源分析

本次環(huán)境影響評價工程污染源分析的原則和依據(jù)是建設單位提交的初步設計,經(jīng)評價單位進行物料衡算、類比調查與監(jiān)測得㈩的。但應該指出的是本次環(huán)境影響評價提出的工程污染源數(shù)據(jù)是依據(jù)前文提到的:工藝路線和產(chǎn)量界定的,但該項目實質是芯片的代加工廠,所有產(chǎn)品是根據(jù)市場的需求進行制作的,產(chǎn)品種類、規(guī)格多早不固定,原材料會因產(chǎn)品工藝和類型不同而使用非常多的不同種類,且使用時間、使用量具有波動性的特點,因此,污染物的產(chǎn)生、排放量也具有不確定性。

1、大氣污染源分析

(1)酸性廢氣酸性廢氣主要來自于擴散區(qū)、離子植入?yún)^(qū)、薄膜區(qū)、化學研磨區(qū)及光罩制作區(qū),包括含氟廢氣、鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸、硅烷(SiHd)、磷烷(陽,)、砷烷(AsH,)等所排出之廢氣。

(2)堿性氣體堿性氣體主要來自擴散區(qū)、薄膜區(qū)及化學研磨區(qū)產(chǎn)生之含氨廢氣排放。

(3)有機廢氣有機廢氣主要來自于光刻區(qū)、擴散區(qū)的光阻劑及清洗用之異丙醇等有機溶劑廢氣。

(4)VOC使用天然氣燃燒廢氣芯片生產(chǎn)后加工工序會有VOC產(chǎn)生,其處理工藝使用天然氣助燃方式解決。使用天然氣燃燒時NO。的產(chǎn)生量參照北京市環(huán)境保護科學研究院編制的《北京環(huán)境總體規(guī)劃研究》中確定的排放因子,即燃燒1 000m3天然氣NO:的排放量為1.76kS。S02的產(chǎn)生量根據(jù)天然氣的用量和含硫率求得,即燃燒1 000m3天然氣SO:的排放量約為5.71X10-3kg。

燃燒VOC使用的天然氣100m3/h,年總用量為864000m3/a(一年按360d,一天按24h計),煙氣排放量為10644480m3/a,則本項目FAB VOC使用的天然氣燃燒產(chǎn)生的大氣污染物排放量為:

(5)化學品輸送過程中的極微量泄漏管道輸送液體的過程中,在管道接口處有極微量液體泄漏。根據(jù)類比數(shù)據(jù),化學材料在運輸過程中,在罐裝、管道等接口處可能的極微量泄漏約為總量的0.05%。本評價考慮的是使用量較大的氟化氫,年使用量按52075kg/a計,泄漏量按最壞情況來考慮,為總量的0.8%計,可得到氟化氫極微量泄漏約為0.048kg/h。

2、水污染源分析

本項目水污染源主要包括生產(chǎn)廢水和生活污水。

根據(jù)本項目的生產(chǎn)工藝和廢水水質特征,在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的廢水主要可分為含氟廢水、研磨廢水(分為金屬研磨廢水、氧化研磨廢水、晶背研磨廢水)、酸堿廢水(包括工藝酸堿廢水、洗滌塔廢水、純水系統(tǒng)再生廢水)和含氨廢水。

此外還有純水站濃縮廢水、工藝設備冷卻水、冷凍水和冷卻塔排水,為較清潔麥水,作為回用水。

廢水處理站主體部分位于CUB2一層,主要包括含氟廢水處理系統(tǒng)、酸堿廢水中和處理系統(tǒng)、污泥處理系統(tǒng)、加藥系統(tǒng)、部分廢液收集系統(tǒng)、廢水處理站控制室及部分處理設施的預留位置;另一部分位于生產(chǎn)廠房FAB4/FAB 5/FAB 6C的一樓,主要包括化學機械研磨廢水、芯片背面研磨廢水收集及輸送設施。

3、固體廢物

固體廢物產(chǎn)生量及其組分,詳見表2。

4、噪聲污染源

本項目噪聲源污染狀況可分為兩個部分:一個為生產(chǎn)廠房(FAB4/FAB5/FAB6C)噪聲污染源;另一個為動力設施(變電站PS2、動力站CUB2)及其他輔助設施產(chǎn)生的噪聲污染源。

噪聲污染主要在動力房室內,如冰水機、動力泵及其他產(chǎn)生噪聲的動力設備;另外柴油發(fā)電機(緊急用)、冷卻塔風扇、空調風扇與生產(chǎn)用的真空泵都會產(chǎn)生噪聲污染。

(三)平衡分析

1、水平衡

水平衡圖見圖5。每天實際耗水量為206 884m3/d,其中新鮮水(自來水)量為4500m3/d,廢水回用量為3424m3/d,循環(huán)水量為198960m3/d。

純水回用率為:(2200+170+170)/4150=61.2%

項目水復用率為:(2200+170+170+150+150+250+50+284+198960)/(3424+198960+4500)=97.8%

2、物料平衡

本項目在生產(chǎn)過程中使用50多種化學原料,根據(jù)中芯國際集成電路制造(上海)有限公司的經(jīng)驗,對擬建項目所涉及的主要物料流失在廢水、廢氣及固體廢物和回收廢液中情況進行分析。

3、氟平衡

擬建項目氟的投加以無機氟和有機氟原料進入生產(chǎn)線,根據(jù)使用含氟原料中氟的含量計算氟的投加量,其中無機氟87 956.62kg/a、有機氟17 315.9kg/a。項目氟的產(chǎn)出主要以廢氣、廢水、廢渣中氟化物方式流失到環(huán)境中,該項目采取了含氟廢氣洗滌,廢水除氟治理措施,因此大部分的氟以固體廢物排出,主要是以氟化鈣方式排放。生產(chǎn)中有機氟化物用電漿法將其電離成氟離子,電離率一般5%一20%,其余未電離部分和未用盡的離子氟均進入?yún)^(qū)域除害裝置,主要采用是碳纖維吸附,處理效率95%,然后進入酸氣洗滌塔,洗滌后排入大氣。氟平衡圖見圖6,氟平衡計算結果如下:

進入廢氣量:855kg/a;

進入廢水量:5112.9kg/a:

進入廢渣量:生產(chǎn)工藝中含氟廢水、酸堿廢水、含氨廢水處理前總含氟量

84535.2kg/a;處理后進入固體廢物的含氟量:79423.2kS/a;

理論值:81 988.7kg/a:

平衡誤差:3.1%。

需要指出的是有機氟化物經(jīng)電離后(約5%,即865.8kg/a)用于工藝清洗,但最終是先進入炭纖維吸附裝置處理后排入酸氣洗滌塔,然后放入大氣,這部分含氟廢棄主要是有機大分子氟化物,比較穩(wěn)定。帶入廢水中經(jīng)過含氟廢水處理裝置后,排到固體廢棄物中約有95%即16450kg/a,進入?yún)^(qū)域除害裝置,由炭纖維劑吸附,這部分固體廢物本廠不作處理,由炭纖維吸附劑專門廠商進行回收處理。

4、其他物料平衡

六氟化鎢有85%流失到大氣、水環(huán)境和污泥中;存在鋼瓶(桶)退回原廠的占10%。

異丙醇工藝中使用后,100%流失到大氣、水環(huán)境和廢液中。

氨在工藝中使用量為112129.65kg/a,0.04%流失到大氣中,5.2%流失到廢水中,其余94.76%以(NH3)2504形式流失到廢液中;存在鋼瓶(桶)退回原廠的占10%。

三氧乙基硼有80%流失到大氣、水環(huán)境和污泥中:存在鋼瓶(桶)退回原廠的占3%。

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